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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.410 | CNY12.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 50+ | CNY1.970 (CNY2.2261) |
| 100+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 500+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 1500+ | CNY1.000 (CNY1.130) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.657 (CNY0.7424) |
| 9000+ | CNY0.603 (CNY0.6814) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMP1045U-7
库存编号
整卷3127558
复卷3127351RL
切割卷带3127351
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.031ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值550mV
功率耗散800mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMP1045U-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,从而使该器件成为高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括电源管理功能、DC-DC 转换器和模拟开关。
- 低导通电阻、低输入电容、快速开关速度
- 低输入/输出漏电,ESD 保护
- 在TA = +25°C 时,漏极至源极电压为 -12V
- 在TA = +25°C 时,栅极至源极电压为 ±8V
- 在TA = +25°C、VGS = -4.5V、稳态时,漏极连续电流为 4A
- 在TA = +25°C 时,脉冲漏极电流(10μs 脉冲,占空比 = 1%)为 40A
- 在TA = +25°C 时,总功率耗散为 0.8W
- 在VGS = -4.5V、ID = -4.0A、TA = +25°C 时,静态漏极-源极导通电阻最大为 31 mohm
- SOT23 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
550mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00185
