DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，因此非常适合高效率电源管理应用。典型应用包括电机控制、电源管理功能和背光照明。

• 低导通电阻、低输入电容、ESD 保护高达 1kV
• 开关速度快，输入/输出漏电低
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 30V
• 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
• 在TA = +25°C、VGS = 10V、稳态时，连续漏极电流为 380mA
• 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 1.2A
• 在TA = +25°C 时，总功耗为 300mW
• 在VGS = 10.0V、ID = 250mA、TA = +25°C 时，静态漏极-源极导通电阻最大为 2.8 ohm
• SOT323 外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。