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DMN6140L-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.520 | CNY12.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
| 50+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 250+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 1000+ | CNY0.944 (CNY1.0667) |
| 5000+ | CNY0.926 (CNY1.0464) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10000+ | CNY0.786 (CNY0.8882) |
| 30000+ | CNY0.771 (CNY0.8712) |
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产品概述
DMN6140L-13 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括 DC-DC 转换器、电源管理功能和模拟开关。
- 低导通电阻、低输入电容
- 开关速度快，输入/输出漏电低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 60V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在TA = +25°C、VGS = 10V、稳态时的连续漏极电流为 1.6A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 10A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.7W
- 在TA = +25°C 时，本体二极管最大连续正向电流为 1.5A
- SOT23 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
DMN6140L-13 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049