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DMN2310U-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.6 A, 0.175 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.260 | CNY6.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.260 (CNY1.4238) |
| 50+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 100+ | CNY0.763 (CNY0.8622) |
| 500+ | CNY0.524 (CNY0.5921) |
| 1500+ | CNY0.514 (CNY0.5808) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2310U-7复制
库存编号
复卷3405174RL
切割卷带3405174
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.6A
漏源接通状态电阻0.175ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散480mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMN2310U-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，使其成为高效电源管理应用和负载开关的理想之选。
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度，ESD 保护栅极
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 20V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±8V
- 在TA = +25°C、VGS = 4.5V、稳态时，连续漏极电流为 1.6A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs脉冲，占空比 = 1%）为 4.8A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.48W
- 在TA = +25°C 时，本体二极管最大连续正向电流为 0.82A
- SOT23 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
480mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.175ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002