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DMN2058UW-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.810 | CNY9.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
| 50+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
| 100+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 500+ | CNY0.719 (CNY0.8125) |
| 1500+ | CNY0.705 (CNY0.7966) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.668 (CNY0.7548) |
| 9000+ | CNY0.655 (CNY0.7402) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2058UW-7
库存编号
整卷4318562
复卷3405172RL
切割卷带3405172
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.5A
漏源接通状态电阻0.042ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMN2058UW-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON))，并保持出色的开关性能，因此非常适合高效率电源管理应用。典型应用包括电机控制、电源管理功能和背光照明。
- 低导通电阻、低输入电容
- 开关速度快，输入/输出漏电低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 20V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±12V
- 在TA = +25°C、VGS = 10V、稳态时，连续漏极电流为 3.5A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 20A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 0.5mW
- 在TA = +25°C 时，本体二极管最大连续正向电流为 1A
- SOT323 外壳
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.5A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536