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DMN2024UFU-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.940 | CNY14.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
| 100+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 500+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 3000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 9000+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2024UFU-7
库存编号
复卷3589318RL
切割卷带3589318
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道21A
连续漏极电流 Id P沟道21A
漏源通态电阻N沟道0.0202ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型U-DFN2030
针脚数6引脚
耗散功率N沟道810mW
耗散功率P沟道810mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
21A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
810mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
21A
漏源通态电阻N沟道
0.0202ohm
晶体管封装类型
U-DFN2030
耗散功率N沟道
810mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000261