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DMN2004K-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.890 | CNY9.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 50+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 100+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 500+ | CNY0.815 (CNY0.921) |
| 1500+ | CNY0.799 (CNY0.9029) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2004K-7
库存编号
复卷1713842RL
切割卷带1713842
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续630mA
漏源接通状态电阻0.55ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMN2004K-7 是一款N沟道增强型MOSFET, 模压塑料外壳, 可焊接, 镀雾锡退火合金42引线端子, 符合MIL-STD-202标准。该器件设计最大限度地降低导通电阻RDS (ON), 同时具有卓越的开关性能, 适用于高效电源管理应用。
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 静电保护高达2KV
- 无卤素, 绿色设备
- 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
- J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
- UL94V-0 阻燃等级
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
630mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.55ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008