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DMN12M7UCA10-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.670 | CNY10.67 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.670 (CNY12.0571) |
| 10+ | CNY6.820 (CNY7.7066) |
| 100+ | CNY4.600 (CNY5.198) |
| 500+ | CNY3.650 (CNY4.1245) |
| 1000+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
| 5000+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN12M7UCA10-7
库存编号
复卷3944088RL
切割卷带3944088
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道20.2A
连续漏极电流 Id P沟道20.2A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型X4-DSN3015
针脚数10引脚
耗散功率N沟道1.73W
耗散功率P沟道1.73W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
20.2A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
10引脚
耗散功率P沟道
1.73W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
20.2A
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
X4-DSN3015
耗散功率N沟道
1.73W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001