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DMG6602SVT
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm
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| 100+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
| 500+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6602SVT复制
库存编号2061522
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
连续漏极电流 Id P沟道2.8A
漏源通态电阻N沟道0.06ohm
漏源导通电阻P沟道0.095ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道840mW
耗散功率P沟道840mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMG6602SVT is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain source voltage is 30V at TA = +25°C (P/N channel)
- Continuous drain current is 3.4A at TA = +25°C (P/N channel)
- Drain source on state resistance is 0.038ohm at TA = +25°C (P/N channel)
- Power dissipation is 1.12W at TA = +25°C (P/N channel)
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C (P/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.8A
漏源导通电阻P沟道
0.095ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
840mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.06ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
840mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000027