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DMG2301L-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.450 | CNY7.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 50+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 100+ | CNY0.905 (CNY1.0226) |
| 500+ | CNY0.591 (CNY0.6678) |
| 1500+ | CNY0.580 (CNY0.6554) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.497 (CNY0.5616) |
| 9000+ | CNY0.488 (CNY0.5514) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG2301L-7复制
库存编号
整卷3127589
复卷3127313RL
切割卷带3127313
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMG2301L-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, and motor control.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -3A at TA=+25°C, steady state, VGS=-4.5V
- Pulsed drain current is -10A at TA=+25°C
- Drain-source diode forward current ( t < 5 sec) is -0.75A at TA=+25°C
- Power dissipation is 1.5W
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
DMG2301L-7 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536