打印页面
DMC4040SSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.025 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.750 | CNY10.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.750 (CNY12.1475) |
| 10+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 100+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 500+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
| 1000+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 5000+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC4040SSD-13复制
库存编号
复卷3944057RL
切割卷带3944057
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道6.8A
连续漏极电流 Id P沟道6.8A
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.8W
耗散功率P沟道1.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
6.8A
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.8W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6.8A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001