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DMC4028SSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.028 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.520 | CNY10.52 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 10+ | CNY6.450 (CNY7.2885) |
| 100+ | CNY4.380 (CNY4.9494) |
| 500+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 1000+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 5000+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC4028SSD-13复制
库存编号
复卷3944054RL
切割卷带3944054
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道6.5A
连续漏极电流 Id P沟道6.5A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道0.05ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.8W
耗散功率P沟道1.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
6.5A
漏源导通电阻P沟道
0.05ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.8W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00044