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DMC1030UFDBQ-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY6.110 | CNY6.11 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.110 (CNY6.9043) |
| 10+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 100+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 500+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 1000+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
| 5000+ | CNY1.670 (CNY1.8871) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC1030UFDBQ-7
库存编号
复卷3944019RL
切割卷带3944019
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续5.1A
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
在电阻RDS（上）0.017ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.034ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.059ohm
晶体管封装类型U-DFN2020
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd1.36W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.36W
耗散功率P沟道1.36W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
5.1A
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.034ohm
漏源导通电阻P沟道
0.059ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.36W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
在电阻RDS（上）
0.017ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
U-DFN2020
功耗 Pd
1.36W
耗散功率N沟道
1.36W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001