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DMC1028UVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 12 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.025 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.510 | CNY27.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.510 (CNY6.2263) |
| 10+ | CNY3.200 (CNY3.616) |
| 100+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 500+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 1000+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 5000+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC1028UVT-7
库存编号
复卷3944018RL
切割卷带3944018
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道6.1A
连续漏极电流 Id P沟道6.1A
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
漏源导通电阻P沟道0.08ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.2W
耗散功率P沟道1.2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
6.1A
漏源导通电阻P沟道
0.08ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.2W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
6.1A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
1.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001