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BSN20-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 500 mA, 1.8 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.350 | CNY11.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
| 50+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 100+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 500+ | CNY0.811 (CNY0.9164) |
| 1500+ | CNY0.795 (CNY0.8984) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.779 (CNY0.8803) |
| 9000+ | CNY0.764 (CNY0.8633) |
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产品概述
BSN20-7 is a N-channel enhancement mode field MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 500mA at TA=+25°C, steady state, TSP=+25°C
- Pulsed drain current at TSP=+25°C, TA=+25°C is 1.2A
- Power dissipation at TA=+25°C is 600mW
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm typ at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
600mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
1.8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
BSN20-7 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000054