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栅极驱动器 :

找到 36 件产品

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制造商产品编号
库存编码
制造商 / 说明
库存数
包装规格
价钱 (含税)
数量
通道数
栅极驱动器类型
驱动配置
电源开关类型
驱动器封装类型
针脚数
IC 外壳 / 封装
芯片安装
输入类型
拉电流
灌电流
电源电压最小值
电源电压最大值
工作温度最小值
工作温度最高值
输入延迟
输出延迟
产品范围
合规
2983593

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY39.450(CNY44.5785)
10+ CNY30.690(CNY34.6797)
25+ CNY28.840(CNY32.5892)
6放大器
-
高压侧和低压侧
MOSFET
-
24引脚
SOIC
表面安装
反相, 非反相
500mA
500mA
7V
15V
-40°C
125°C
65ns
75ns
-
-
3703213

RoHS

每个
1+ CNY218.440(CNY246.8372)
10+ CNY200.910(CNY227.0283)
25+ CNY139.710(CNY157.8723)
50+ CNY138.130(CNY156.0869)
100+ CNY136.540(CNY154.2902)
2放大器
隔离式
半桥
IGBT
-
-
模块
表面安装
-
6A
6A
14.5V
15.5V
-40°C
105°C
75ns
75ns
SCALE-2+ Series
-
2983593RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
10+ CNY30.690(CNY34.6797)
25+ CNY28.840(CNY32.5892)
6放大器
-
高压侧和低压侧
MOSFET
SOIC
24引脚
SOIC
表面安装
反相, 非反相
500mA
500mA
7V
15V
-40°C
125°C
65ns
75ns
-
-
2510169

RoHS

每个
1+ CNY8.010(CNY9.0513)
25+ CNY7.850(CNY8.8705)
100+ CNY7.690(CNY8.6897)
2放大器
-
半桥
MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
非反向
1A
1A
5.5V
16V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
AEC-Q100
1467695

RoHS

每个
1+ CNY12.720(CNY14.3736)
25+ CNY12.470(CNY14.0911)
100+ CNY12.220(CNY13.8086)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
非反向
1.5A
1.5A
4.5V
18V
0°C
70°C
50ns
75ns
-
-
2510168

RoHS

每个
1+ CNY8.410(CNY9.5033)
25+ CNY8.250(CNY9.3225)
100+ CNY8.080(CNY9.1304)
2放大器
-
半桥
MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
非反向
1A
1A
5.5V
16V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
1467697

RoHS

每个
1+ CNY16.000(CNY18.080)
25+ CNY13.290(CNY15.0177)
100+ CNY12.090(CNY13.6617)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
DIP
通孔安装
反相, 非反相
1.5A
1.5A
4.5V
18V
0°C
70°C
50ns
75ns
-
-
2009285

RoHS

每个
1+ CNY19.500(CNY22.035)
25+ CNY17.600(CNY19.888)
100+ CNY17.530(CNY19.8089)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
DIP
通孔安装
反相, 非反相
3A
3A
4.5V
18V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
1196815

RoHS

每个
1+ CNY12.950(CNY14.6335)
25+ CNY10.900(CNY12.317)
100+ CNY9.830(CNY11.1079)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
DIP
通孔安装
反相
1.5A
1.5A
4.5V
18V
0°C
70°C
50ns
75ns
-
-
3886291

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY26.960(CNY30.4648)
10+ CNY20.260(CNY22.8938)
25+ CNY18.590(CNY21.0067)
50+ CNY18.440(CNY20.8372)
100+ CNY18.290(CNY20.6677)
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2放大器
隔离式
半桥
SiC MOSFET
-
36引脚
SO-36W
表面安装
反相
4A
4A
3.1V
5.5V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
3798129

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY28.790(CNY32.5327)
10+ CNY23.080(CNY26.0804)
25+ CNY21.640(CNY24.4532)
50+ CNY20.840(CNY23.5492)
100+ CNY20.040(CNY22.6452)
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1放大器
隔离式
隔离型
SiC MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
-
4A
4A
3.1V
5.5V
-50°C
150°C
75ns
75ns
-
-
1467693

RoHS

每个
1+ CNY11.130(CNY12.5769)
25+ CNY7.580(CNY8.5654)
100+ CNY6.950(CNY7.8535)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
非反向
1.2A
1.2A
4.5V
16V
0°C
70°C
75ns
75ns
-
-
3703236

RoHS

每个
1+ CNY1,387.350(CNY1,567.7055)
5+ CNY1,315.870(CNY1,486.9331)
10+ CNY1,244.380(CNY1,406.1494)
2放大器
-
半桥
IGBT
-
-
模块
-
-
20A
20A
14.5V
15.5V
-40°C
85°C
95ns
75ns
SCALE-2
-
3581054

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY44.020(CNY49.7426)
10+ CNY33.590(CNY37.9567)
25+ CNY30.540(CNY34.5102)
50+ CNY29.360(CNY33.1768)
100+ CNY28.180(CNY31.8434)
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-
隔离式
半桥
MOSFET
-
8引脚
WSOIC
表面安装
-
-
-
9.6V
26V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
1467696

RoHS

每个
1+ CNY16.000(CNY18.080)
25+ CNY13.290(CNY15.0177)
100+ CNY12.400(CNY14.012)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
DIP
通孔安装
非反向
1.5A
1.5A
4.5V
18V
0°C
70°C
50ns
75ns
-
-
3886349

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY6.750(CNY7.6275)
10+ CNY4.350(CNY4.9155)
100+ CNY3.560(CNY4.0228)
500+ CNY3.400(CNY3.842)
1000+ CNY3.160(CNY3.5708)
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1放大器
-
高压侧或低压侧
GaN HEMT, MOSFET
-
10引脚
VSON
表面安装
反相, 非反相
1.5A
1.5A
4.2V
11V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
3581057

RoHS

每个
1+ CNY42.260(CNY47.7538)
10+ CNY32.200(CNY36.386)
25+ CNY29.670(CNY33.5271)
50+ CNY28.270(CNY31.9451)
100+ CNY26.850(CNY30.3405)
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-
隔离式
半桥
MOSFET
-
8引脚
WSOIC
表面安装
-
-
-
16.4V
26V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
3678955

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY43.480(CNY49.1324)
10+ CNY33.150(CNY37.4595)
25+ CNY30.540(CNY34.5102)
50+ CNY29.090(CNY32.8717)
100+ CNY27.640(CNY31.2332)
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1放大器
隔离式
半桥
SiC MOSFET
-
8引脚
WSOIC
表面安装
反相, 非反相
4A
4A
16.4V
26V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
3380277

RoHS

每个
1+ CNY11.820(CNY13.3566)
25+ CNY9.830(CNY11.1079)
100+ CNY8.840(CNY9.9892)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
DIP
通孔安装
反相, 非反相
1.2A
1.2A
4.5V
16V
0°C
70°C
75ns
75ns
-
-
3155023

RoHS

每个
1+ CNY31.380(CNY35.4594)
10+ CNY23.610(CNY26.6793)
25+ CNY20.650(CNY23.3345)
50+ CNY19.970(CNY22.5661)
100+ CNY19.280(CNY21.7864)
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2放大器
-
高压侧和低压侧
IGBT, MOSFET
-
8引脚
DIP
通孔安装
反相
1A
1A
10V
20V
-40°C
125°C
80ns
75ns
-
-
3380278

RoHS

每个
1+ CNY14.480(CNY16.3624)
25+ CNY11.960(CNY13.5148)
100+ CNY10.980(CNY12.4074)
2放大器
-
低压侧
MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
反相
1.5A
1.5A
4.5V
18V
-40°C
85°C
50ns
75ns
-
-
3155024

RoHS

每个
1+ CNY12.280(CNY13.8764)
10+ CNY11.620(CNY13.1306)
50+ CNY10.970(CNY12.3961)
100+ CNY10.310(CNY11.6503)
250+ CNY9.640(CNY10.8932)
更多价格信息...
2放大器
-
高压侧和低压侧
MOSFET
-
8引脚
SOIC
表面安装
反相
1A
1A
10V
20V
-40°C
125°C
80ns
75ns
-
-
3678954

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY25.900(CNY29.267)
10+ CNY18.820(CNY21.2666)
25+ CNY17.670(CNY19.9671)
50+ CNY16.000(CNY18.080)
100+ CNY14.330(CNY16.1929)
更多价格信息...
1放大器
隔离式
半桥
SiC MOSFET
-
8引脚
WSOIC
表面安装
反相, 非反相
4A
4A
16.4V
26V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
4134555

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY6.710(CNY7.5823)
10+ CNY4.240(CNY4.7912)
100+ CNY3.450(CNY3.8985)
500+ CNY3.290(CNY3.7177)
1000+ CNY3.170(CNY3.5821)
更多价格信息...
1放大器
-
高压侧和低压侧
GaN HEMT, MOSFET
-
7引脚
TSNP
表面安装
逻辑器件
1.5A
1.5A
4.2V
11V
-40°C
150°C
75ns
75ns
-
-
4729002

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
1+ CNY30.820(CNY34.8266)
10+ CNY23.660(CNY26.7358)
25+ CNY21.780(CNY24.6114)
50+ CNY20.770(CNY23.4701)
100+ CNY19.760(CNY22.3288)
更多价格信息...
1放大器
隔离式
高压侧和低压侧
IGBT
-
16引脚
WSOIC
表面安装
CMOS, TTL
10A
6A
3.1V
5.5V
-40°C
125°C
75ns
75ns
-
-
1-25 项,共 36 项
,共 2 页

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