IR2011PBF

IR2011PBF 是一款高功率、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 3.0V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器交叉传导降至最低。传播延迟经过匹配，可简化高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高压侧配置的 N 沟道功率 MOSFET，工作电压高达 200V。专有的 HVIC 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。应用包括转换器和直流电机驱动。

• 浮动通道设计用于自启动操作，可在 200V 电压下完全工作
• 耐负瞬态电压，dV/dt 免疫
• 栅极驱动电源范围为 10 至 20V，最大开启和关闭延迟匹配为 20ns（TA=25°C）
• 独立的低端和高端通道，输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
• 双通道欠压锁定，兼容 3.3V 和 5V 逻辑电压
• CMOS 施密特触发输入，带下拉功能，两个通道的传播延迟相匹配
• 200V 高压侧浮动电源偏移电压，75ns 关断传播延迟 （典型值，VS=200V，TA=25°C）
• 输出高电平和低电平短路脉冲电流为 1.0A（典型值，VO=0V/15V，PW ≤ 10μs，TA=25°C）
• 低端固定电源电压范围为 10 至 20V，开启传播延迟为 80ns（典型值，TA=25°C）
• PDIP8 封装，环境温度范围为 -40 至 125°C

警告

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