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BC847BPDW1T1G
晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.853 | CNY4.26 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.853 (CNY0.9639) |
| 50+ | CNY0.693 (CNY0.7831) |
| 100+ | CNY0.533 (CNY0.6023) |
| 500+ | CNY0.342 (CNY0.3865) |
| 1500+ | CNY0.336 (CNY0.3797) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.389 (CNY0.4396) |
| 9000+ | CNY0.382 (CNY0.4317) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC847BPDW1T1G
库存编号
整卷2440794
复卷1653701RL
切割卷带1653701
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
最大集电极发射电压45V
过渡频率100MHz
功率耗散380mW
连续集电极电流100mA
晶体管封装类型SOT-363
针脚数3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
过渡频率
100MHz
连续集电极电流
100mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
45V
功率耗散
380mW
晶体管封装类型
SOT-363
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09