打印页面
IXFK420N10T
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
1 有货
需要更多？
1 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY194.140 (CNY219.3782) |
| 5+ | CNY174.770 (CNY197.4901) |
| 10+ | CNY155.390 (CNY175.5907) |
| 50+ | CNY143.370 (CNY162.0081) |
| 100+ | CNY131.340 (CNY148.4142) |
| 250+ | CNY128.720 (CNY145.4536) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY194.14 (CNY219.38 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode GigaMOS™ Trench HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
420A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.67kW
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
2600µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001