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IXFN520N075T2.
场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 480A, SOT-227E
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| 1+ | CNY301.720 (CNY340.9436) |
| 5+ | CNY269.980 (CNY305.0774) |
| 10+ | CNY238.230 (CNY269.1999) |
| 50+ | CNY221.980 (CNY250.8374) |
| 100+ | CNY205.720 (CNY232.4636) |
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CNY301.72 (CNY340.94 含税)
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技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
75V
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
Module
工作温度最高值
175°C
合规
-
电流, Id 连续
480A
晶体管封装类型
SOT-227
阈值栅源电压最大值
5V
功率耗散
940W
针脚数
4引脚
产品范围
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.044725