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IXFN420N10T
MOSFET晶体管, N沟道, 420 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY307.660 (CNY347.6558) |
| 5+ | CNY279.340 (CNY315.6542) |
| 10+ | CNY251.020 (CNY283.6526) |
| 50+ | CNY236.370 (CNY267.0981) |
| 100+ | CNY221.710 (CNY250.5323) |
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产品信息
制造商产品编号IXFN420N10T复制
库存编号3438388
产品范围GigaMOS HiperFET
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续420A
漏源电压, Vds100V
漏源接通状态电阻2300µohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散1.07kW
工作温度最高值175°C
产品范围GigaMOS HiperFET
SVHC(高度关注物质)No SVHC (12-Jan-2017)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.07kW
产品范围
GigaMOS HiperFET
电流, Id 连续
420A
漏源接通状态电阻
2300µohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.030182