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MOSFET模块 :
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制造商
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功率耗散
=1.07kW
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通道类型
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电流, Id 连续
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漏源电压, Vds
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漏源接通状态电阻
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Rds(on)测试电压
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阈值栅源电压最大值
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工作温度最高值
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产品范围
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 电流, Id 连续 | 漏源电压, Vds | 漏源接通状态电阻 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 功率耗散 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY413.400(CNY467.142) 5+ CNY371.080(CNY419.3204) 10+ CNY328.750(CNY371.4875) 50+ CNY322.180(CNY364.0634) | N通道 | 188A | 200V | 1050µohm | 10V | 4.5V | 1.07kW | 175°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY285.050(CNY322.1065) 5+ CNY260.770(CNY294.6701) 10+ CNY236.480(CNY267.2224) 50+ CNY226.970(CNY256.4761) 100+ CNY217.450(CNY245.7185) | N通道 | 420A | 100V | 2300µohm | 10V | 5V | 1.07kW | 175°C | GigaMOS HiperFET | ||||||
