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SSM6L820R,LXHF(T
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.790 | CNY33.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 10+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
| 100+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 500+ | CNY2.300 (CNY2.599) |
| 1000+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
| 5000+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6L820R,LXHF(T复制
库存编号
复卷4381046RL
切割卷带4381046
也称为SSM6L820R, SSM6L820R,LXHF
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.0391ohm
漏源导通电阻P沟道0.045ohm
晶体管封装类型TSOP-F
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.045ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.0391ohm
晶体管封装类型
TSOP-F
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016