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DMN2014LHAB-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.013 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY5.020 | CNY25.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
| 10+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
| 100+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 500+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
| 1000+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 5000+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2014LHAB-13
库存编号
复卷3828403RL
切割卷带3828403
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续9.3A
连续漏极电流 Id N沟道9.3A
在电阻RDS（上）0.01ohm
连续漏极电流 Id P沟道9.3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.013ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值710mV
晶体管封装类型U-DFN2030
功耗 Pd1.7W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
9.3A
连续漏极电流 Id P沟道
9.3A
漏源通态电阻N沟道
0.013ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
U-DFN2030
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
9.3A
在电阻RDS（上）
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
710mV
功耗 Pd
1.7W
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001