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双MOSFET :
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制造商
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连续漏极电流 Id N沟道
=9.3A
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
(2)
电流, Id 连续
(1)
在电阻RDS（上）
(1)
连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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包装
(1)
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 合规 | 汽车质量标准 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.230(CNY5.9099) 10+ CNY3.450(CNY3.8985) 100+ CNY2.430(CNY2.7459) 500+ CNY1.970(CNY2.2261) 1000+ CNY1.570(CNY1.7741) 更多价格信息... | - | N通道 | 20V | - | 20V | - | - | 9.3A | 9.3A | 0.013ohm | - | - | U-DFN2030 | - | 6引脚 | - | 1.7W | 1.7W | 150°C | AEC-Q101 | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.430(CNY2.7459) 500+ CNY1.970(CNY2.2261) 1000+ CNY1.570(CNY1.7741) 5000+ CNY1.430(CNY1.6159) | N沟道 | N通道 | 20V | 20V | 20V | 9.3A | 0.01ohm | 9.3A | 9.3A | 0.013ohm | 表面安装 | 4.5V | U-DFN2030 | 710mV | 6引脚 | 1.7W | 1.7W | 1.7W | 150°C | AEC-Q101 | AEC-Q101 | ||||||
