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SI4931DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双P通道, 12 V, 8.9 A
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4931DY-T1-GE3复制
库存编号4853737
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道8.9A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双P通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
8.9A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015