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SI4931DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双P通道, 12 V, 8.9 A
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.620 (CNY25.5606) |
| 10+ | CNY14.380 (CNY16.2494) |
| 100+ | CNY9.720 (CNY10.9836) |
| 500+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 1000+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 5000+ | CNY7.150 (CNY8.0795) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY22.62 (CNY25.56 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
双P通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
8.9A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015