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SI6926ADQ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm
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| 10+ | CNY11.540 (CNY13.0402) |
| 100+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 500+ | CNY7.200 (CNY8.136) |
| 1000+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
| 5000+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
SI6926ADQ-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 采用表面安装封装。
- 无卤素
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4.1A
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
830mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.1A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
TSSOP
耗散功率N沟道
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907