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XP2530AGY
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
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技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.3A
漏源导通电阻P沟道
0.15ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.136W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.3A
漏源通态电阻N沟道
0.072ohm
晶体管封装类型
SOT-26
耗散功率N沟道
1.136W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000001