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C2M1000170D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY85.280 (CNY96.3664) |
| 10+ | CNY64.640 (CNY73.0432) |
| 50+ | CNY48.760 (CNY55.0988) |
| 100+ | CNY45.720 (CNY51.6636) |
| 250+ | CNY44.800 (CNY50.624) |
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产品信息
制造商WOLFSPEED
制造商产品编号C2M1000170D
库存编号2361497
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续4.9A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻0.95ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散69W
工作温度最高值150°C
产品范围-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2019)
C2M1000170D 的替代之选
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产品概述
Cree品牌的C2M1000170D是一款第二代Z-FET通孔N沟道碳化硅功率MOSFET, To-247封装. 该MOSFET采用C2M SiC MOSFET技术, 具有高阻断电压, 低导通电阻值, 高速开关, 低电容值, 易于并联并且驱动简单, 具有雪崩耐受性, 超低漏极栅极电容, 高系统效率, 低散热要求, 以及更高的系统可靠性. 应用包括辅助电源, 开关模式电源和高压容性负载.
- 漏极至源极电压(Vds): 1.7kV
- 连续漏电流: 5A
- 功耗: 69W
- 结温范围: -55°C至150°C
- Vgs为20V时, 低导通电阻值1ohm
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
4.9A
漏源接通状态电阻
0.95ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.4V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
69W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2019)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008029