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C2M0160120D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
已停产
产品信息
制造商WOLFSPEED
制造商产品编号C2M0160120D复制
库存编号2630830
产品范围C2M
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续19A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.16ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散125W
工作温度最高值150°C
产品范围C2M
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
C2M0160120D 的替代之选
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产品概述
C2M0160120D是一款1.2kV N沟道增强型碳化硅功率MOSFET, 低电容, 快开关速度. Z-FET™MOSFET是高频应用的理想选择. 碳化硅功率MOSFET具有更高的系统效率, 降低了冷却要求并提高了系统开关频率.
- 高阻断电压, 低RDS (on)
- 易于并联, 易于驱动
- 抗闭锁
- 无卤素
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
19A
漏源接通状态电阻
0.16ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
125W
产品范围
C2M
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008301