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PHD13003C,412
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 1.5 A, 2.1 W, TO-92, 通孔
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| 100+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 500+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 1000+ | CNY0.816 (CNY0.9221) |
| 5000+ | CNY0.701 (CNY0.7921) |
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产品信息
制造商产品编号PHD13003C,412
库存编号1859374
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压400V
连续集电极电流1.5A
功率耗散2.1W
晶体管封装类型TO-92
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率-MHz
直流电流增益, Hfe 最小值17hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
The PHD13003C is a NPN planar passivated Power Switching Transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a plastic single-ended leaded (through hole) package.
- High speed
- Fast switching
- High voltage capability
- High typical DC current gain
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1.5A
晶体管封装类型
TO-92
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
17hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
2.1W
晶体管安装
通孔
过渡频率
-MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000322