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| 5+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
| 10+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
| 100+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 500+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 1000+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
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最低: 5
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产品概述
High power infrared emitting diode, 940nm, GaAlAs MQW. It is suitable for use in IR emitter in photo interrupters, sensors and reflective sensors, IR emitter in low space applications, household appliance and tactile keyboards.
- AEC-Q101 qualified
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
峰值波长
940nm
二极管封装类型
LCC
上升时间
800ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
AEC-Q100
湿气敏感性等级
-
半强角度
60°
辐射强度 (Ie)
9.5mW/Sr
衰减时间 tf
800ns
正向电压 Vf 最大值
-
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001633

