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SUP50010E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 150 A, 2000 µohm, TO-220AB, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY43.260 (CNY48.8838) |
| 10+ | CNY28.330 (CNY32.0129) |
| 100+ | CNY21.180 (CNY23.9334) |
| 500+ | CNY17.760 (CNY20.0688) |
| 1000+ | CNY16.460 (CNY18.5998) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY43.26 (CNY48.88 含税)
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
SUP50010E-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.001