打印页面
SUM90100E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 150 A, 0.0114 ohm, TO-263, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
527 有货
需要更多？
527 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY40.280 | CNY40.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY40.280 (CNY45.5164) |
| 10+ | CNY26.730 (CNY30.2049) |
| 100+ | CNY19.050 (CNY21.5265) |
| 500+ | CNY15.700 (CNY17.741) |
| 1000+ | CNY15.390 (CNY17.3907) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
N-channel 200V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as switching power supply, DC/DC converter, power tools, motor drive switch, DC/AC inverter, battery management and OR-ing / e-fuse.
- TrenchFET® power MOSFET
- Maximum 175°C junction temperature
- Very low Qgd reduces power loss from passing through Vplateau
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0114ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001742