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SUM70040E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY37.420 | CNY37.42 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY37.420 (CNY42.2846) |
| 10+ | CNY24.630 (CNY27.8319) |
| 100+ | CNY17.370 (CNY19.6281) |
| 500+ | CNY13.750 (CNY15.5375) |
| 1000+ | CNY13.480 (CNY15.2324) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SUM70040E-GE3复制
库存编号
复卷2526618RL
切割卷带2526618
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻4000µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散375W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
N-channel 100V (D-S) MOSFET suitable for use in power supply (secondary synchronous rectification), DC/DC converter, power tools, motor drive switch, DC/AC inverter, battery management and OR-ing.
- ThunderFET® power MOSFET
- Maximum 175°C junction temperature
- 100% Rg and UIS tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
4000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SUM70040E-GE3 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002219