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SUM60030E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 120 A, 3200 µohm, TO-263, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY39.360 | CNY39.36 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY39.360 (CNY44.4768) |
| 10+ | CNY26.210 (CNY29.6173) |
| 100+ | CNY18.680 (CNY21.1084) |
| 500+ | CNY15.710 (CNY17.7523) |
| 1000+ | CNY15.390 (CNY17.3907) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.001