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SUD50N04-8M8P-4GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
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| 5000+ | CNY5.210 (CNY5.8873) |
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产品概述
SUD50N04-8M8P-4GE3是一款40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET. 适用于LCD显示器的背光逆变器, DC至DC转换器与全桥转换器应用.
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- PWM优化
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
8800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SUD50N04-8M8P-4GE3 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003