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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY31.970 | CNY31.97 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY31.970 (CNY36.1261) |
| 10+ | CNY21.350 (CNY24.1255) |
| 100+ | CNY15.730 (CNY17.7749) |
| 500+ | CNY13.150 (CNY14.8595) |
| 1000+ | CNY12.890 (CNY14.5657) |
品項附註
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产品概述
The SUD19N20-90-E3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
- 100% Rg tested
- PWM optimized
- 175°C Junction temperature
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000488
