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SQS146ELNW-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 94 A, 5200 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.480 | CNY47.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.480 (CNY10.7124) |
| 10+ | CNY5.650 (CNY6.3845) |
| 100+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 500+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 1000+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 5000+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQS146ELNW-T1_GE3
库存编号
复卷4349342RL
切割卷带4349342
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续94A
漏源接通状态电阻5200µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212-8SLW
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散91W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
94A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
91W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
5200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013