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SQM40014EM_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 200 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.310 | CNY20.31 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.310 (CNY22.9503) |
| 10+ | CNY18.190 (CNY20.5547) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
7引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.001