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SQJQ936EL-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 100 A, 1800 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY30.770 | CNY30.77 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY30.770 (CNY34.7701) |
| 10+ | CNY20.190 (CNY22.8147) |
| 100+ | CNY14.180 (CNY16.0234) |
| 500+ | CNY11.740 (CNY13.2662) |
| 1000+ | CNY11.510 (CNY13.0063) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJQ936EL-T1_GE3复制
库存编号
复卷4155862RL
切割卷带4155862
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道100A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道1800µohm
晶体管封装类型PowerPAK
针脚数4引脚
耗散功率N沟道75W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK
耗散功率N沟道
75W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
100A
漏源通态电阻N沟道
1800µohm
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001