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SQJQ900E-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.000 | CNY17.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.000 (CNY19.210) |
| 10+ | CNY14.150 (CNY15.9895) |
| 100+ | CNY10.450 (CNY11.8085) |
| 500+ | CNY9.460 (CNY10.6898) |
| 1000+ | CNY8.820 (CNY9.9666) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJQ900E-T1_GE3复制
库存编号
复卷3772876RL
切割卷带3772876
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道100A
连续漏极电流 Id P沟道100A
漏源通态电阻N沟道3400µohm
漏源导通电阻P沟道3400µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道75W
耗散功率P沟道75W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
100A
漏源导通电阻P沟道
3400µohm
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
75W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
100A
漏源通态电阻N沟道
3400µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
75W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001