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SQJQ574E-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 123 A, 6000 µohm, PowerPAK, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
| 10+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 100+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 500+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
| 1000+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
| 5000+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY20.15 (CNY22.77 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
123A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
234W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001