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SQJQ184E-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY26.400 | CNY132.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY26.400 (CNY29.832) |
| 50+ | CNY22.560 (CNY25.4928) |
| 100+ | CNY18.710 (CNY21.1423) |
| 500+ | CNY17.470 (CNY19.7411) |
| 1000+ | CNY16.560 (CNY18.7128) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJQ184E-T1_GE3
库存编号
复卷4014733RL
切割卷带4014733
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续430A
漏源接通状态电阻1400µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散600W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
430A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
600W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001