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SQJQ160E-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 602 A, 850 µohm, PowerPAK, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY27.490 | CNY137.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY27.490 (CNY31.0637) |
| 50+ | CNY23.470 (CNY26.5211) |
| 100+ | CNY19.450 (CNY21.9785) |
| 500+ | CNY16.860 (CNY19.0518) |
| 1000+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
品項附註
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产品信息
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
602A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
600W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
850µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001