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SQJB90EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 80 V, 30 A, 0.0179 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.600 (CNY6.328) |
| 10+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 100+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
| 500+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
| 1000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
| 5000+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB90EP-T1_GE3复制
库存编号4853759
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.0179ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0179ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015