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SQJB04ELP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 30 A, 7800 µohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.820 | CNY9.82 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.820 (CNY11.0966) |
| 10+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 100+ | CNY4.140 (CNY4.6782) |
| 500+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
| 1000+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 5000+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB04ELP-T1_GE3复制
库存编号
复卷4246811RL
切割卷带4246811
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道7800µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
7800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074