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SQJ951EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.530 | CNY17.53 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.530 (CNY19.8089) |
| 10+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 100+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
| 500+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 1000+ | CNY5.140 (CNY5.8082) |
| 5000+ | CNY5.040 (CNY5.6952) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ951EP-T1_GE3复制
库存编号
复卷3772869RL
切割卷带3772869
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道56W
耗散功率P沟道56W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
56W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
56W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001