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SQJ768ELP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 60 V, 21 A, 0.0305 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 100+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 500+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 1000+ | CNY0.879 (CNY0.9933) |
| 5000+ | CNY0.753 (CNY0.8509) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ768ELP-T1_GE3复制
库存编号4856011
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道21A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.0305ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道35W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
21A
漏源通态电阻N沟道
0.0305ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
35W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001