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SQJ560EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.360 | CNY16.36 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.360 (CNY18.4868) |
| 10+ | CNY10.490 (CNY11.8537) |
| 100+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
| 500+ | CNY5.610 (CNY6.3393) |
| 1000+ | CNY4.940 (CNY5.5822) |
| 5000+ | CNY4.850 (CNY5.4805) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ560EP-T1_GE3
库存编号
复卷3019154RL
切割卷带3019154
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道9900µohm
漏源导通电阻P沟道9900µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道34W
耗散功率P沟道34W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
9900µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
34W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
9900µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
34W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004309